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  •  AMC空气分子污染物监测系统  猎户座3100S

     AMC空气分子污染物监测系统  

    猎户座3100S

    概述:

    光刻工艺洁净室内痕量级NH3,HCL,HF等气体的超高灵敏度、实时测量

    实践证明深紫外光刻工艺深受多种类微量污染物的影响,对很多微量污染物极为敏感,比如氨气或者酸性气体都会给半导体生产带来极大的危害,尽管随着深紫外耐腐蚀材料技术的发展,已经减少了长时间持续实时监测,而实际上空气分子污染(AMC)的实时测量对产品质量的好坏至关重要。


    猎户座3100S系列空气分子污染物监测系统基于CEAS(腔增强吸收光谱)技术连续分析仪器,将增加半导体器件阻抗一致性、保证更长的过滤器寿命、减少生产过程的停工时间。

            DUKE HMI(人机交互界面)软件可以实时观察、实时测量、实时操作对不同空间不同位置的NH3、HCL、HF进行分析,软件专门针对半导体行业开发,对于深紫外光刻工艺过程中监测与控制空气分子污染(AMC)提供有力的支持,软件集成了多点采样(MS)控制功能,具有实时显示数据曲线、报警、存储、趋势、历史曲线、分析等功能。


    猎户座3100S 系统:

    完善的空气分子污染(AMC)监测

    实时监测空气分子污染(AMC)对于半导体生产过程极为重要。快速监测、报警、极低浓度测量、宽测量区域、多气体的高灵敏响应等是半导体工业要求之一。

    深紫外光刻工艺特别关注氨、胺类、N-甲基吡咯烷酮NMP、酸类等浓度测量,当这些气体与化学放大光刻胶反生反应时,将深深的影响半导体器件质量。

    传统古老的方法多采用间接测量分析方法。包括撞击滤尘器、离子色谱、化学荧光法,这些方法分析速度太慢,操作过程太复杂,昂贵并且测量结果不精确。

    DUKE采用被证明的CEAS(腔增强吸收光谱)技术解决AMC(空气分子污染物)监测难题,可快速测量痕量级NH3、HCL、HF,采用脉冲荧光法测量SO2,采用增强型GC-FID测量VOCs。

    猎户座 3100S系列空气分子污染物监测系统测量痕量级NH3、HCL、HF并集成了uVOC-CAM特性,是半导体行业洁净室AMC(空气分子污染)测量的有力工具。

    猎户座 3100S也集成了多点监测系统,可依序将气体抽送到分析仪或传感器,并读出测量结果。猎户座 3100S内嵌的报警、报告、分析软件是由多年半导体行业经验的工程师集体开发。

    猎户座 3100S使用Ethernet、RS485/RS232或4-20mA模拟模块可以输出来自4~6台分析仪或传感器的数据。

    每台分析仪配有内置计算机(Linux OS),可进行数据存储和数据输出,还支持远程网络控制,通过互联网可以连接DUKE公司总部或者当地经销商服务商,进行操作或者诊断

    使用者可以通过网络浏览器比如IE、Chrome等世界任意可以联网的地方进行操作,远程操作可实现多级管理权限控制和操作。

    优势:

    仪器基于CEAS(腔增强吸收光谱)技术,极简使用、便捷操作,所有部件(包括内置真空泵、键盘、鼠标、显示器等)几分钟内可开始记录数据,其他大气中的水汽、CO2、O2、甲烷等不会对HCL、HF、NH3等测量构成交叉干扰。内置计算机可以存储大量数据到内置硬盘上,可同过数字接口或者模拟接口传输数据,可通过互联网远程存储或记录数据,高质量的数据库,适合于苛刻的半导体痕量级气体应用。

    原理:

    基于CEAS(腔增强吸收光谱)技术的仪器原理图,使用近红外波段光进行高灵敏度吸收测量,测量腔室由一组高反射率多次反射镜片组成的柱状体构成,激光束经过固态校准器(FSR=2.00GHz)时会测量得到相对激光波长。为了保证清晰度,忽略了原本照射到左侧测量单元腔镜外的光束。

    EP增强型版本集成了压力传感器和内部温度控制器,具有超稳定性测量腔室,防止温度漂移、压力变化等造成的误差。

    CEAS(腔增强吸收光谱)相比于第一代的CRDS(腔衰荡光谱)技术,有许多已被证明的优势。简而言之,激光束不需要共振耦合进入测量腔室(例如光束不需要严格对准)。DUKE分析仪器和系统具有安装简单、机械牢固、防护结实等特点。

    特性:


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